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本申請涉及芯片測試，特別涉及一種emcp芯片老化測試裝置及其測試方法。、在相關(guān)技術(shù)中，emcp是由emmc以及l(fā)pddr一起封裝而成的存儲器，雖然把兩款產(chǎn)品封裝在一起，但是工作是互相獨立的，所以在量產(chǎn)測試過程中，emmc和lpddr也是互相獨立測試的。emmc是非易失型存儲產(chǎn)品，所以在測試...

本發(fā)明屬于空間充放電效應(yīng)，尤其涉及一種易失性互鎖存儲電路空間充放電效應(yīng)的評估方法及系統(tǒng)。、空間充放電效應(yīng)與單粒子效應(yīng)是誘發(fā)星用存儲電路數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)的主要因素。目前，對存儲電路的空間充放電誘發(fā)翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的測試是開展抗空間充放電效應(yīng)器件研制及其在空間任務(wù)中安全可靠應(yīng)用的重要流程。、然而，利用高能電子...

本發(fā)明涉及非線性反饋移位寄存器，具體涉及一種非線性反饋移位寄存器及其構(gòu)造方法。、采用非線性反饋移位寄存器(nonlinear?feedback?shift?register，nfsr)為主要組件已經(jīng)成為序列密碼算法的主流設(shè)計趨勢，但由于缺乏有效工具，nfsr理論仍很不完整。根據(jù)實現(xiàn)結(jié)構(gòu)，n...

本公開大體上涉及存儲器子系統(tǒng)，且更具體來說，涉及非易失性雙列直插式存儲器模塊(dimm)中的交叉點陣列存儲器。、存儲器子系統(tǒng)可以是存儲系統(tǒng)，如固態(tài)驅(qū)動器(ssd)或硬盤驅(qū)動器(hdd)。存儲器子系統(tǒng)可以是存儲器模塊，如雙列直插式存儲器模塊(dimm)、小型dimm(so-dimm)或非易失...

本發(fā)明涉及文固態(tài)硬盤的電容閾值測試，尤其是涉及一種電容閾值的測試方法、裝置及電子設(shè)備。、對于固態(tài)盤而言，在沒有電源保護的情況下，如果固態(tài)盤突然掉電，將會造成緩存中數(shù)據(jù)丟失，為防止這種情況發(fā)生，在企業(yè)級的固態(tài)盤中都增加了掉電保護機制，其中電容的健康檢測屬于企業(yè)級固態(tài)盤的一個重要組成部分，在電...

本發(fā)明屬于存儲器陣列領(lǐng)域，且特別關(guān)于一種多次寫入只讀存儲器陣列。、互補式金屬氧化半導(dǎo)體(complementary?metal?oxide?semiconductor，cmos)制程技術(shù)已成為特殊應(yīng)用集成電路(application?specific?integrated?circuit，...

本發(fā)明涉及ddr內(nèi)存，具體涉及一種通過外部非易失存儲器加快ddr初始化的方法、裝置及存儲介質(zhì)。、在傳統(tǒng)的計算機系統(tǒng)中，ddr（double?data?rate）作為高速傳輸總線，對時序的要求非常嚴格，布線長度、溫度變化、元器件阻抗等外界因素都可能引起時序上的誤差。因此需要對ddr進行tra...

本發(fā)明涉及集成電路，特別涉及一種用于flash?fpga的內(nèi)核電源供電控制電路。、flash?fpga是一種高可靠可編程門陣列電路，具有非易失性存儲特性、高可靠性、低功耗、高靈活性等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于高可靠、高保密性的軍用和航空航天領(lǐng)域。由于其特殊的應(yīng)用領(lǐng)域，國外對此類電路的研發(fā)技術(shù)對我國進...

本發(fā)明涉及存儲芯片，具體而言，涉及一種存儲器操作方法及存儲芯片。、電荷俘獲型閃存(chargetrappingmemory)，亦稱為電荷陷阱內(nèi)存，是其中一種先進的存儲技術(shù)，這類存儲芯片可以利用半導(dǎo)體材料內(nèi)的陷阱來捕獲和保持電荷(電子或空穴)。當(dāng)執(zhí)行擦除操作或編程操作時，這類存儲芯片中存儲單...

本說明書涉及行解碼器電路以及對應(yīng)的操作方法。行解碼器可以被應(yīng)用于非易失性存儲器(nvm)，其中可以通過將編程電流施加到存儲器單元本身來改變存儲器單元的狀態(tài)，存儲器單元諸如是相變存儲器(pcm)、自旋扭矩磁阻隨機存取存儲器(st-mram)以及電阻隨機存取存儲器(rram)。、文獻us?b(...

本發(fā)明屬于動態(tài)隨機存儲器測試的，尤其涉及一種提高存儲單元測試速度的方法及裝置。、動態(tài)隨機存取存儲器（dynamic?random?access?memory，簡稱dram）是一種廣泛應(yīng)用于計算機和其他數(shù)字電子設(shè)備中的半導(dǎo)體存儲器類型。動態(tài)隨機存取存儲器（dram）利用電容器中的電荷狀態(tài)來存...

本公開涉及但不限于一種芯片結(jié)構(gòu)和存儲器。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，存儲器的集成度要求越來越高，性能標(biāo)準(zhǔn)越來越高。因此，需要對存儲器的結(jié)構(gòu)進一步優(yōu)化。技術(shù)實現(xiàn)思路、有鑒于此，本公開實施例提供了一種芯片結(jié)構(gòu)和存儲器，能夠更充分地利用芯片的面積，提高芯片的性能。、本公開實施例的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的...

本公開涉及電子電路，特別涉及一種芯片、數(shù)據(jù)緩沖電路及其控制方法。、在非易失性閃存芯片（nor?flash芯片）中，數(shù)據(jù)緩沖器（data?buffer）是一個關(guān)鍵組件，它負責(zé)存儲待寫入的數(shù)據(jù)、加載當(dāng)前存儲的數(shù)據(jù)以及在擦寫過程中存儲臨時數(shù)據(jù)。為了確保nor?flash芯片的高性能，data?b...

本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤應(yīng)用，尤其涉及一種固態(tài)硬盤閾值電壓估算方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)。、目前ssd最關(guān)鍵的存儲介質(zhì)是nand?flash，它是一種半導(dǎo)體器件，通過編程、擦除和讀取命令，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲，刪除和讀取。它內(nèi)部最基本的存儲單元(cell)就是一個mosfet，nand?flash讀取...

本發(fā)明涉及sram內(nèi)自建測試電路，具體為基于位mcu的sram自測系統(tǒng)及測試方法。、在半導(dǎo)體技術(shù)中，sram在mcu芯片中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，由于sram的幾何形狀非常小，因此容易受到細微缺陷的影響。sram的測試非常重要，在制造過程中sram的產(chǎn)出非常低。但對于sram來說，由于沒有主...

本技術(shù)涉及數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，具體為一種隔離型數(shù)據(jù)安全存儲設(shè)備。、在當(dāng)今的信息時代，數(shù)據(jù)已經(jīng)變得至關(guān)重要，無論是個人生活還是企業(yè)運營，數(shù)據(jù)都是核心資源，這些數(shù)據(jù)離需要使用到存儲設(shè)備進行存儲，現(xiàn)有的儲存設(shè)備一般由控制單元、存儲單元、緩存單元和接口單元等組成，使用時接口單元與計算機設(shè)備連接，一般不具...

本發(fā)明涉及集成電路應(yīng)用領(lǐng)域，尤其涉及一種溫度補償晶體振蕩器補償數(shù)據(jù)存儲載入電路及方法。、隨著科技的發(fā)展需要更高溫度穩(wěn)定度(例如±.ppm以內(nèi))的晶振，來提高系統(tǒng)的性能。因為集成電路加工的工藝偏差，需要對每一只溫度補償晶體振蕩器通過多次的不同溫度測試修調(diào)才能使其溫度穩(wěn)定度達到技術(shù)指標(biāo)的要求，...

本申請涉及半導(dǎo)體存儲器，具體而言，涉及一種多值rram讀取電路及其讀取方法。、阻變存儲器(rram)，又稱為憶阻器，是一種新型的非易失性隨機存儲器。可以通過對其施加寫入電壓，從而將rram的阻態(tài)變?yōu)楦咦钁B(tài)或者低阻態(tài)，以存儲信息。當(dāng)需要讀取rram所存儲的信息時，則是將rram的阻值狀態(tài)轉(zhuǎn)化...

本發(fā)明涉及集成電路，特別涉及一種適用于非易失存儲單元的自加載存儲結(jié)構(gòu)。、隨著我國通信和醫(yī)療領(lǐng)域的發(fā)展，對高可靠的可編程邏輯器件(programmablelogic?device，pld)的需求越為突出。如何發(fā)展下一代高性能、高可靠、低功耗非易失fpga核心配置單元，已成為集成電路領(lǐng)域的熱門...

本公開大體涉及半導(dǎo)體裝置，且更具體來說，涉及半導(dǎo)體存儲器裝置。特定來說，本公開涉及易失性存儲器，例如動態(tài)隨機存取存儲器(dram)。、信息可作為物理信號(例如，電容元件上的電荷)存儲在存儲器的個別存儲器單元上。存儲器可為易失性存儲器，且物理信號可隨著時間推移而衰減(這可使存儲于存儲器單元中...